О проекте   Реклама на сайте Войти или ...
получить пропуск?
Новости – Hi-Tech – Февраль 2010 – 40-нанометровые чипы DDR3 от Samsung
  Подписка на новости
  
  
 
В избранное
Комментировать
Поместить в блог
 
   

40-нанометровые чипы DDR3 от Samsung

25.02.2010 \ Источник: Poplavoc.ru — hi-tech технологии

В избранном: 0

Просмотров: 1511

Комментариев: 0

 

Метки: чип, DDR3, Samsung, Samsung Electronics, Energy Star, SO-DIMM

 

 

Распечатать  

 

Компания Samsung обновила модельный ряд чипов серии DDR3, построенных по 40-нанометровой технологии. Прошлогодние микросхемы на 2Гбита уступили место новым экономичным чипам с емкостью на 4Гбита. На основе этих маломощных микросхем, потребляющих на 35% меньше энергии, производители плат памяти выпустят на рынок модули емкостью 16Гб, которые, вероятнее всего, будут востребованы на рынке серверных решений, отвечающих последним обновлениям стандартов Energy Star. Максимальный объем плат памяти DDR3 на данный момент на уровне 32Гб.

Новые чипы Samsung Electronics на 4Гбит используются в SO-DIMM модулях на 8Гб. Т.о. ноутбуки, оснащенные 4 слотами, могут поставляться с 32Гб памяти. Производительность таких модулей на уровне 1,6Гбит/с.